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强电场下纳秒激光脉冲触发GaAs沿面放电及其绝缘 保护
来源:电力设备电气绝缘国家重点实验室   作者:管理员   人气:3785  发布时间:2010/3/1
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课题负责人:西安理工大学   施   卫 教授

研究背景:

1、器件的损伤及使用寿命决定于器件的沿面放电;
2、时至今日人们对半导体表面闪络以及局部击穿等现象的内在机理还不是很清楚。

主要研究内容:

1、分别在连续光触发和超短脉冲光触发条件下,进行开关的寿命及耐压实验;
2、根据开关出现的沿面击穿特性,分析强场下开关的退化机制及击穿机理;
3、根据开关芯片的材料特性,着重分析电荷畴诱发沿面放电对开关寿命的影响,通过对电荷畴的控制有效抑制沿面放电,提高开关寿命。

 
 
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